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    可控矽的2大基本伏安特性

    來源:91香蕉视频污下载電氣(常州)有限公司    日期:2020-02-13    瀏覽量:載入中...

    圖1 可控矽基本伏安特性


    (1)反向特性

    當控製極開路,陽極加上反向電壓時(詳見圖2),J2結正偏,但J1、J2結反偏。此時隻能流過很小的反向飽和電流,當電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿電壓後,接差J3結也擊穿,電流迅速增加,圖3的特性開始彎曲,如特性OR段所示,彎曲處的電壓URO叫“反向轉折電壓”。此時,可控矽會發生永久性反向。

    圖2陽極加上反向電壓


    (2)正向特性

    當控製極開路,陽極上加上正向電壓時(見圖3),J1、J3結正偏,但J2結反偏,這與普通PN結的反向特性相似,也隻能流過很小電流,這叫正向阻斷狀態,當電壓增加,圖3的特性發生了彎曲,如特性OA段所示,彎曲處的是UBO叫:正向轉折電壓


    圖3 陽極加正向電壓


    由於電壓升高到J2結的雪崩擊穿電壓後,J2結發生雪崩倍增效應,在結區產生大量的電子和空穴,電子時入N1區,空穴時入P2區。進入N1區的電子與由P1區通過J1結注入N1區的空穴複合,同樣,進入P2區的空穴與由N2區通過J3結注入P2區的電子複合,雪崩擊穿,進入N1區的電子與進入P2區的空穴各自不能全部複合掉,這樣,在N1區就有電子積累,在P2區就有空穴積累,結果使P2區的電位升高,N1區的電位下降,J2結變成正偏,隻要電流稍增加,電壓便迅速下降,出現所謂負阻特性,見圖3的虛線AB段。


    這時J1、J2、J3三個結均處於正偏,可控矽便進入正向導電狀態---通態,此時,它的特性與普通的PN結正向特性相似,(可見圖2中的BC段)


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